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MMBF0201NL, MVMBF0201NL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 10 m A)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc)
(V DS = 16 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 Vdc, V DS = 0)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
20
?
?
?
?
?
?
?
?
1.0
10
± 100
Vdc
m Adc
nAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = 10 Vdc, I D = 300 mAdc)
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 100 mAdc)
Forward Transconductance (V DS = 10 Vdc, I D = 200 mAdc)
V GS(th)
r DS(on)
g FS
1.0
?
?
?
1.7
0.75
1.0
450
2.4
1.0
1.4
?
Vdc
W
mMhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Output Capacitance
Transfer Capacitance
(V DS = 5.0 V)
(V DS = 5.0 V)
(V DG = 5.0 V)
C iss
C oss
C rss
?
?
?
45
25
5.0
?
?
?
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
2.5
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 15 Vdc, I D = 300 mAdc,
R L = 50 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
2.5
15
0.8
?
?
?
Gate Charge (See Figure 5)
Q T
?
1400
?
pC
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Continuous Current
Pulsed Current
Forward Voltage (Note 2)
I S
I SM
V SD
?
?
?
?
?
0.85
0.3
0.75
?
A
V
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
2. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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